激光晶圆改质切割设备
设备简介设备采用先进激光技术,可对硅基晶圆、碳化硅(SiC)晶圆、蓝宝石衬底(LED领域)、太阳能光伏晶片等半导体材料实施高精度内部改质切割工艺,适用于第三代半导体及新能源领域精密加工需求。
技术参数
technical parameter
激光晶圆改质切割设备
可加工晶圆尺寸

4inch、6inch、8inch、12inch(选制)

加工速度

最大1000mm/s

上料方式

wafer Frame

激光波长

红外

激光器输出功率

<10W

重复频率

10~200KHz

X 、Y轴精度

重复定位精度:±1μm , X轴直线度:±1μm/300mm

X 、Y、Z轴最大行程范围

430mm×550mm×30mm

Z 轴重复精度误差

±1μm

θ轴

旋转角度:210° 旋转分辨率:15arc-sec

载台综合平面度

≤±5um(200mm范围)

CCD 辨视功能

角度、水平、基准点校正、CCD光源亮度自动调节

环境温度

22℃±2℃

相对湿度

30~60%

洁净度要求

千级或以上

大气压力(CDA)

0.5-0.8Mpa

供电电源

单相220V,50Hz,20A以上

供电电网波动

<5%

设备尺寸

1500(W)mm×2100(L)mm×2180(H)mm

设备重量

净重3.2吨

应用领域
application area